 ГлавнаяПеречень ПродуктовАксессуары для промышленных интеллектуальных модулейСпецификации модуля памяти DDR4 Udimm

поставщик контакта

Mr. Jummary

Оставить сообщение

Свяжитесь сейчас

Вам может понравиться

Промышленные водонепроницаемые высококачественные интегрированные RFID Reader UHF Свяжитесь сейчас

Промышленное длинное расстояние UHF Electronic Tag RFID Reader Свяжитесь сейчас

Полная посадка на сенсорные экраны ЖК -экрана Свяжитесь сейчас

Индустриальный интегрированный читатель среднего диапазона UHF UHF Свяжитесь сейчас

Портативный 7-дюймовый многофункциональный цвет Multifunction E-reader Свяжитесь сейчас

Спецификации модуля памяти DDR3 Udimm Свяжитесь сейчас

Спецификации модуля памяти DDR4 Udimm Свяжитесь сейчас

 

Спецификации модуля памяти DDR4 Udimm

Получите последнюю цену

Вид оплаты:

L/C,T/T,D/A

Инкотермс:

FOB,CIF,EXW

Количество минимального заказа:

1 Piece/Pieces

транспорт:

Ocean,Land,Air,Express

Свяжитесь сейчас

 Чат Сейчас

Описание продукта

Атрибуты продукта
Возможности поставки ...
Упаковка и доставка

< >

Overview

Атрибуты продукта

Модель: NS08GU4E8

Возможности поставки ...

транспорт: Ocean,Land,Air,Express

Вид оплаты: L/C,T/T,D/A

Инкотермс: FOB,CIF,EXW

Упаковка и доставка

Продажа единиц жилья:: Piece/Pieces

8 ГБ 2666 МГц 288-контактный DDR4 Udimm

лист регистраций изменений

Revision No.	History	Draft Date	Remark
1.0	Initial Release	Apr. 2022

Таблица информации о заказе

Model	Density	Speed	Organization	Component Composition
NS08GU4E8	8GB	2666MHz	1Gx64bit	DDR4 1Gx8 *8

Описание
Hengstar, несоблюримые DMR4 SDRAM DIMM (бессмысленные двойные скорости передачи данных DRAM Двойной встроенной памяти) представляют собой низкую мощность, высокоскоростные модули памяти, в которых используются устройства DDR4 SDRAM. NS08GU4E8-это 1G x 64-битный один ранг 8 ГБ DDR4-2666 CL19 1,2 В SDRAM Недоверный DIMM Product, основанный на восемь компонентов FBGA 1G X x x. SPD запрограммирована на стандартную задержку JEDEC DDR4-2666 Время 19-19-19 при 1,2 В. Каждый 288-контактный DIMM использует золотые контактные пальцы. DIMM SDRAM предназначен для использования в качестве основной памяти при установке в таких системах, как ПК и рабочие станции.

Функции
 Поставка силы: VDD = 1,2 В (от 1,14 В до 1,26 В)
 VDDQ = 1,2 В (от 1,14 В до 1,26 В)
 Vpp - 2,5 В (от 2,375 В до 2,75 В)
 VDDSPD = 2,25 В до 3,6 В
 Расходое и динамическое завершение для разъезда (ODT) для данных, стробосков и маски
Auto Self Opreesh (LPASR)
 Инверсия шины DATA (DBI) для шины данных
On-Die Vrefdq Generation и калибровка
 Набор i2c серийный присутствие (SPD) EEPROM
16 Внутренние банки; 4 группы по 4 банка каждый
 Перевернутая выбивка (до н.э.) 4 и длины взрыва (BL) 8 через набор режима режима (MRS)
 Выберите BC4 или BL8 на лету (OTF)
 Датабус записать циклическую проверку избыточности (CRC)
 Температурный обновление контролируемого (TCR)
command/Address (CA) паритет
 Per DRAM адресоспособность поддерживается
8 бит предварительно изгибается
Topology
 Комманда/Задержка адреса (CAL)
Admercemination Control Command и адресная шина
PCB: высота 1.23 ”(31,25 мм)
Contacts Contacts
«Соответствующие и без галогенов

Ключевые параметры времени

MT/s	tCK (ns)	CAS Latency (tCK)	tRCD (ns)	tRP (ns)	tRAS (ns)	tRC (ns)	CL-tRCD-tRP
DDR4-2666	0.75	19	14.25	14.25	32	46.25	19-19-19

Адресная таблица

Configuration	Number of bank groups	Bank Group Address	Bank Address	Row Address	Column Address	Page size
8GB(1Rx8)	4	BG0-BG1	BA0-BA1	A0-A15	A0-A9	1 KB

Функциональная блочная диаграмма

Модуль 8 ГБ, 1GX64 (1 -rank of x8)

Примечание:

1. Если отмечаться в другом месте, значения резисторов составляют 15 Ом ± 5%.

2. Резисторы ZQ составляют 240 Ом ± 1%. Для всех других значений резистора см. В соответствующей схеме подключения.

3.EVENT_N подключен по этому дизайну. Также можно использовать отдельный SPD. Никаких изменений проводки не требуется.

Абсолютные максимальные значения

Абсолютные максимальные рейтинги постоянного тока

Symbol	Parameter	Rating	Units	NOTE
VDD	Voltage on VDD pin relative to VSS	-0.3 ~ 1.5	V	1,3
VDDQ	Voltage on VDDQ pin relative to VSS	-0.3 ~ 1.5	V	1,3
VPP	Voltage on VPP pin relative to VSS	-0.3 ~ 3.0	V	4
VIN, VOUT	Voltage on any pin except VREFCA relative to VSS	-0.3 ~ 1.5	V	1,3,5
TSTG	Storage Temperature	-55 to +100	°C	1,2

Примечание:

1. Страны, больше, чем перечисленные в разделе «Абсолютные максимальные оценки», могут привести к постоянному повреждению устройства.

Это только рейтинг напряжений, и функциональная работа устройства в этих или любых других условиях выше, указанных в рабочих разделах этой спецификации, не подразумевается. Воздействие абсолютного максимального рейтинга в течение продолжительных периодов может повлиять на надежность.

2. Температура хранения - температура поверхности корпуса на центральной/верхней стороне DRAM. Для условий измерения, пожалуйста, обратитесь к стандарту JESD51-2.

3. VDD и VDDQ должны всегда находиться в пределах 300 мВ друг от друга; и VREFCA должен быть не больше 0,6 x VDDQ, когда VDD и VDDQ менее 500 мВ; Vrefca может быть равна или менее 300 мВ.

4.VPP должен быть равен или больше, чем VDD/VDDQ в любое время.

5. Площадь выше 1,5 В указана в работе устройства DDR4 .

Диапазон рабочей температуры компонента DRAM

Symbol	Parameter	Rating	Units	Notes
TOPER	Normal Operating Temperature Range	0 to 85	°C	1,2
TOPER	Extended Temperature Range	85 to 95	°C	1,3

Примечания:

1. Оперативная температура топ -температура - температура поверхности корпуса на центральной / верхней стороне DRAM. Для условий измерения, пожалуйста, обратитесь к документу JEDEC JESD51-2.

2. В нормальном температурном диапазоне указывается температура, при которых будут поддерживаться все спецификации DRAM. Во время работы температура случая DRAM должна сохраняться между 0-85 ° C в всех условиях эксплуатации.

3. Некоторые применения требуют работы DRAM в расширенном диапазоне температуры от 85 ° C до 95 ° C, температуры случая. Полные спецификации гарантируются в этом диапазоне, но применяются следующие дополнительные условия:

а). Команды обновления должны быть удвоены по частоте, поэтому сокращение интервала обновления Trefi до 3,9 мкс. Также можно указать компонент с 1 -кратным обновлением (Trefi до 7,8 мкл) в расширенном диапазоне температур. Пожалуйста, обратитесь к DIMM SPD для доступности опции.

б). Если в расширенном диапазоне температур требуется работа самостоятельного обозначения, то обязательно использовать либо ручной режим самостоятельного самостоятельного, с расширенным диапазоном температур (MR2 A6 = 0B и MR2 A7 = 1B) или включить дополнительную автоматическую самостоятельность Режим (MR2 A6 = 1B и MR2 A7 = 0B).

Условия работы AC & DC

Рекомендуемые условия работы DC

Symbol	Parameter	Rating			Unit	NOTE
Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Max.	Unit	NOTE
VDD	Supply Voltage	1.14	1.2	1.26	V	1,2,3
VDDQ	Supply Voltage for Output	1.14	1.2	1.26	V	1,2,3
VPP	Supply Voltage for DRAM Activating	2.375	2.5	2.75	V	3