Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Модель: NSO4GU3AB
транспорт: Ocean,Air,Express,Land
Вид оплаты: L/C,T/T,D/A
Инкотермс: FOB,EXW,CIF
4 ГБ 1600 МГц 240-контактный DDR3 Udimm
лист регистраций изменений
Revision No. |
History |
Draft Date |
Remark |
1.0 |
Initial Release |
Apr. 2022 |
|
Таблица информации о заказе
Model |
Density |
Speed |
Organization |
Component Composition |
NS04GU3AB |
4GB |
1600MHz |
512Mx64bit |
DDR3 256Mx8 *16 |
Описание
Hengstar, несоблюримые DMD3 SDRAM DIMM (бессмысленные двойные скорости передачи данных DRAM DRAM Двойной встроенной памяти) представляют собой низкую мощность, высокоскоростные модули памяти, в которых используются устройства DDR3 SDRAM. NS04GU3AB представляет собой 512 мс 64-битный два ранг 4GB DDR3-1600 CL11 1,5 В SDRAM Недоверный продукт DIMM, основанный на шестнадцати 256 млн. X 8-битных компонентах FBGA. SPD запрограммирована на стандартную задержку JEDEC DDR3-1600 11-11-11 при 1,5 В. Каждый 240-контактный DIMM использует золотые контактные пальцы. DIMM SDRAM предназначен для использования в качестве основной памяти при установке в таких системах, как ПК и рабочие станции.
Функции
Поставка силы: VDD = 1,5 В (от 1,425 В до 1,575 В)
VDDQ = 1,5 В (от 1,425 В до 1,575 В)
800 МГц FCK для 1600 МБ/с/контакт
8 Независимый внутренний банк
Программируемая задержка CAS: 11, 10, 9, 8, 7, 6
Программируемая аддитивная задержка: 0, Cl - 2 или Cl - 1 часы
8-битный предварительный
Длина Гурста: 8 (переплетайте без какого -либо предела, последовательно с начальным адресом только «000»), 4 с TCCD = 4, что не позволяет бесшовного чтения или записи [на лету, используя A12 или MRS]
Bi-направляющие дифференциальные данные стробоскопа
Винтернальная (само) калибровка; Внутренняя самостоятельная калибровка через ZQ PIN (RZQ: 240 Ом ± 1%)
При завершении матрицы с помощью PIN -кода ODT
Средний период обновления 7,8US при ниже TCASE 85 ° C, 3,9US при 85 ° C <TCASE <95 ° C
Asynchronous сброс
Регулируемая прочность на диск DATA-выпуск
Topology
pcb: высота 1,18 ”(30 мм)
«Соответствующие и без галогенов
Ключевые параметры времени
MT/s |
tRCD(ns) |
tRP(ns) |
tRC(ns) |
CL-tRCD-tRP |
DDR3-1600 |
13.125 |
13.125 |
48.125 |
2011/11/11 |
Адресная таблица
Configuration |
Refresh count |
Row address |
Device bank address |
Device configuration |
Column Address |
Module rank address |
4GB |
8K |
32K A[14:0] |
8 BA[2:0] |
2Gb (256 Meg x 8) |
1K A[9:0] |
2 S#[1:0] |
Описания PIN
Symbol |
Type |
Description |
Ax |
Input |
Address inputs: Provide the row address for ACTIVE commands, and the column |
BAx |
Input |
Bank address inputs: Define the device bank to which an ACTIVE, READ, WRITE, or |
CKx, |
Input |
Clock: Differential clock inputs. All control, command, and address input signals are |
CKEx |
Input |
Clock enable: Enables (registered HIGH) and disables (registered LOW) internal circuitry |
DMx |
Input |
Data mask (x8 devices only): DM is an input mask signal for write data. Input data is |
ODTx |
Input |
On-die termination: Enables (registered HIGH) and disables (registered LOW) |
Par_In |
Input |
Parity input: Parity bit for Ax, RAS#, CAS#, and WE#. |
RAS#, |
Input |
Command inputs: RAS#, CAS#, and WE# (along with S#) define the command being |
RESET# |
Input |
Reset: RESET# is an active LOW asychronous input that is connected to each DRAM and |
Sx# |
Input |
Chip select: Enables (registered LOW) and disables (registered HIGH) the command |
SAx |
Input |
Serial address inputs: Used to configure the temperature sensor/SPD EEPROM address |
SCL |
Input |
Serial |
CBx |
I/O |
Check bits: Used for system error detection and correction. |
DQx |
I/O |
Data input/output: Bidirectional data bus. |
DQSx, |
I/O |
Data strobe: Differential data strobes. Output with read data; edge-aligned with read data; |
SDA |
I/O |
Serial |
TDQSx, |
Output |
Redundant data strobe (x8 devices only): TDQS is enabled/disabled via the LOAD |
Err_Out# |
Output (open |
Parity error output: Parity error found on the command and address bus. |
EVENT# |
Output (open |
Temperature event: The EVENT# pin is asserted by the temperature sensor when critical |
VDD |
Supply |
Power supply: 1.35V (1.283–1.45V) backward-compatible to 1.5V (1.425–1.575V). The |
VDDSPD |
Supply |
Temperature sensor/SPD EEPROM power supply: 3.0–3.6V. |
VREFCA |
Supply |
Reference voltage: Control, command, and address VDD/2. |
VREFDQ |
Supply |
Reference voltage: DQ, DM VDD/2. |
VSS |
Supply |
Ground. |
VTT |
Supply |
Termination voltage: Used for control, command, and address VDD/2. |
NC |
– |
No connect: These pins are not connected on the module. |
NF |
– |
No function: These pins are connected within the module, but provide no functionality. |
Примечания : Таблица описания PIN ниже представляет собой полный список всех возможных контактов для всех модулей DDR3. Все выводы, перечисленные май не поддерживаться в этом модуле. См. Задание PIN -код для информации, специфичной для этого модуля.
Функциональная блочная диаграмма
4 ГБ, 512mx64 модуль (2 -of x8)
Размеры модуля
Передний план
Передний план
Примечания:
1. Все размеры находятся в миллиметрах (дюймы); Макс/мин или типичный (тип), где отмечается.
2. ТОЛЕРАНСА НА ВСЕМАХ ± 0,15 мм, если не указано иное.
3. Диаграмма размеров предназначена только для справки.
Группа Продуктов : Аксессуары для промышленных интеллектуальных модулей
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.