Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

sales@angeltondal.com

86-755-89992216

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.
ГлавнаяПеречень ПродуктовАксессуары для промышленных интеллектуальных модулейСпецификации модуля памяти DDR3 Udimm

Спецификации модуля памяти DDR3 Udimm

Вид оплаты:
L/C,T/T,D/A
Инкотермс:
FOB,EXW,CIF
Количество минимального заказа:
1 Piece/Pieces
транспорт:
Ocean,Air,Express,Land
  • Описание продукта
Overview
Атрибуты продукта

МодельNSO4GU3AB

Возможности поставки ...

транспортOcean,Air,Express,Land

Вид оплатыL/C,T/T,D/A

ИнкотермсFOB,EXW,CIF

Упаковка и доставка
Продажа единиц жилья:
Piece/Pieces

4 ГБ 1600 МГц 240-контактный DDR3 Udimm


лист регистраций изменений

Revision No.

History

Draft Date

Remark

1.0

Initial Release

Apr. 2022

 

Таблица информации о заказе

Model

Density

Speed

Organization

Component Composition

NS04GU3AB

4GB

1600MHz

512Mx64bit

DDR3 256Mx8 *16


Описание
Hengstar, несоблюримые DMD3 SDRAM DIMM (бессмысленные двойные скорости передачи данных DRAM DRAM Двойной встроенной памяти) представляют собой низкую мощность, высокоскоростные модули памяти, в которых используются устройства DDR3 SDRAM. NS04GU3AB представляет собой 512 мс 64-битный два ранг 4GB DDR3-1600 CL11 1,5 В SDRAM Недоверный продукт DIMM, основанный на шестнадцати 256 млн. X 8-битных компонентах FBGA. SPD запрограммирована на стандартную задержку JEDEC DDR3-1600 11-11-11 при 1,5 В. Каждый 240-контактный DIMM использует золотые контактные пальцы. DIMM SDRAM предназначен для использования в качестве основной памяти при установке в таких системах, как ПК и рабочие станции.


Функции
 Поставка силы: VDD = 1,5 В (от 1,425 В до 1,575 В)
 VDDQ = 1,5 В (от 1,425 В до 1,575 В)
 800 МГц FCK для 1600 МБ/с/контакт
8 Независимый внутренний банк
 Программируемая задержка CAS: 11, 10, 9, 8, 7, 6
 Программируемая аддитивная задержка: 0, Cl - 2 или Cl - 1 часы
8-битный предварительный
 Длина Гурста: 8 (переплетайте без какого -либо предела, последовательно с начальным адресом только «000»), 4 с TCCD = 4, что не позволяет бесшовного чтения или записи [на лету, используя A12 или MRS]
 Bi-направляющие дифференциальные данные стробоскопа
 Винтернальная (само) калибровка; Внутренняя самостоятельная калибровка через ZQ PIN (RZQ: 240 Ом ± 1%)
 При завершении матрицы с помощью PIN -кода ODT
 Средний период обновления 7,8US при ниже TCASE 85 ° C, 3,9US при 85 ° C <TCASE <95 ° C
Asynchronous сброс
 Регулируемая прочность на диск DATA-выпуск
Topology
pcb: высота 1,18 ”(30 мм)
«Соответствующие и без галогенов


Ключевые параметры времени

MT/s

tRCD(ns)

tRP(ns)

tRC(ns)

CL-tRCD-tRP

DDR3-1600

13.125

13.125

48.125

2011/11/11


Адресная таблица

Configuration

Refresh count

Row address

Device bank address

Device configuration

Column Address

Module rank address

4GB

8K

32K A[14:0]

8 BA[2:0]

2Gb (256 Meg x 8)

1K A[9:0]

2 S#[1:0]


Описания PIN

Symbol

Type

Description

Ax

Input

Address inputs: Provide the row address  for ACTIVE commands, and the column
address and auto precharge bit (A10) for READ/WRITE commands, to select one location
out of the memory array in the respective bank. A10 sampled during a PRECHARGE
command determines whether the PRECHARGE applies to one bank (A10 LOW, bank
selected by BAx) or all banks (A10 HIGH). The address inputs also provide the op-code
during a LOAD MODE command. See the Pin Assignments table for density-specific
addressing information.

BAx

Input

Bank address inputs: Define the device bank to which an ACTIVE, READ, WRITE, or
PRECHARGE command is being applied. BA define which mode register (MR0, MR1,
MR2, or MR3) is loaded during the LOAD MODE command.

CKx,
CKx#

Input

Clock: Differential clock inputs. All control, command, and address input signals are
sampled on the crossing of the positive edge of CK and the negative edge of CK#.

CKEx

Input

Clock enable: Enables (registered HIGH) and disables (registered LOW) internal circuitry
and clocks on the DRAM.

DMx

Input

Data mask (x8 devices only): DM is an input mask signal for write data. Input data is
masked when DM is sampled HIGH, along with that input data, during a write access.
Although DM pins are input-only, DM loading is designed to match that of the DQ and DQS pins.

ODTx

Input

On-die  termination:  Enables  (registered  HIGH)  and  disables  (registered  LOW)
termination resistance internal to the DDR3 SDRAM. When enabled in normal operation,
ODT is only applied to the following pins: DQ, DQS, DQS#, DM, and CB. The ODT input will be ignored if disabled via the LOAD MODE command.

Par_In

Input

Parity input: Parity bit for Ax, RAS#, CAS#, and WE#.

RAS#,
CAS#,
WE#

Input

Command inputs: RAS#, CAS#, and WE# (along with S#) define the command being
entered.

RESET#

Input
(LVCMOS)

Reset: RESET# is an active LOW asychronous input that is connected to each DRAM and
the registering clock driver. After RESET# goes HIGH, the DRAM must be reinitialized as
though a normal power-up was executed.

Sx#

Input

Chip select: Enables (registered LOW) and disables (registered HIGH) the command
decoder.

SAx

Input

Serial address inputs: Used to configure the temperature sensor/SPD EEPROM address
range on the I2C bus.

SCL

Input

Serial
communication to and from the temperature sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

CBx

I/O

Check bits: Used for system error detection and correction.

DQx

I/O

Data input/output: Bidirectional data bus.

DQSx,
DQSx#

I/O

Data strobe: Differential data strobes. Output with read data; edge-aligned with read data;
input with write data; center-alig

SDA

I/O

Serial
sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

TDQSx,
TDQSx#

Output

Redundant data strobe (x8 devices only): TDQS is enabled/disabled via the LOAD
MODE command to the extended mode register (EMR). When TDQS is enabled, DM is
disabled and TDQS and TDQS# provide termination resistance; otherwise, TDQS# are no
function.

Err_Out#

Output (open
drain)

Parity error output: Parity error found on the command and address bus.

EVENT#

Output (open
drain)

Temperature event: The EVENT# pin is asserted by the temperature sensor when critical
temperature thresholds have been exceeded.

VDD

Supply

Power supply: 1.35V (1.283–1.45V) backward-compatible to 1.5V (1.425–1.575V). The
component VDD and VDDQ are connected to the module VDD.

VDDSPD

Supply

Temperature sensor/SPD EEPROM power supply: 3.0–3.6V.

VREFCA

Supply

Reference voltage: Control, command, and address VDD/2.

VREFDQ

Supply

Reference voltage: DQ, DM VDD/2.

VSS

Supply

Ground.

VTT

Supply

Termination voltage: Used for control, command, and address VDD/2.

NC

No connect: These pins are not connected on the module.

NF

No function: These pins are connected within the module, but provide no functionality.

Примечания : Таблица описания PIN ниже представляет собой полный список всех возможных контактов для всех модулей DDR3. Все выводы, перечисленные май не поддерживаться в этом модуле. См. Задание PIN -код для информации, специфичной для этого модуля.


Функциональная блочная диаграмма

4 ГБ, 512mx64 модуль (2 -of x8)

1


2


Примечание:
1. Шар ZQ на каждом компоненте DDR3 подключен к внешнему резистору 240 Ом ± 1%, который привязан к земле. Он используется для калибровки драйвера компонента и вывода.



Размеры модуля


Передний план

3

Передний план

4

Примечания:
1. Все размеры находятся в миллиметрах (дюймы); Макс/мин или типичный (тип), где отмечается.
2. ТОЛЕРАНСА НА ВСЕМАХ ± 0,15 мм, если не указано иное.
3. Диаграмма размеров предназначена только для справки.

Группа Продуктов : Аксессуары для промышленных интеллектуальных модулей

Письмо этому поставщику
  • *Тема:
  • *к:
    Mr. Jummary
  • *Электронная Почта:
  • *сообщение:
    Ваше сообщение должно быть в пределах 20-8000 символов
ГлавнаяПеречень ПродуктовАксессуары для промышленных интеллектуальных модулейСпецификации модуля памяти DDR3 Udimm
Отправить Запрос
*
*

Главная

Product

Phone

О нас

Запрос

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить